江蘇亨通光電股份有限公司是目前國內(nèi)唯一一家自主研發(fā)光纖預(yù)制棒制造設(shè)備和工藝的企業(yè)，利用首創(chuàng)的CCVD連續(xù)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，成功研制及批量生產(chǎn)光纖預(yù)制棒，填補國內(nèi)多項技術(shù)空白，先后獲得全國工商業(yè)聯(lián)合會科技進步二等獎、國家重點新產(chǎn)品獎、中國新材料產(chǎn)業(yè)新產(chǎn)品金獎、第十五屆中國專利優(yōu)秀獎。亨通實現(xiàn)了大尺寸、多規(guī)格的光纖預(yù)制棒系列產(chǎn)品供應(yīng)，目前已研發(fā)出世界最長的光棒，長度可達6米(相應(yīng)拉絲光纖14000公里)。

　　亨通光電光纖預(yù)制棒具有優(yōu)越、可靠的性能，亨通光電可制造外徑從80毫米到200毫米的各種規(guī)格的光纖預(yù)制棒。用于拉制全波段低水峰G.652D單模光纖，以及用于FTTx建設(shè)用G.657A2彎曲不敏感單模光纖。

　　通信用光纖大多數(shù)是由石英玻璃材料組成的。光纖的制造要經(jīng)歷光纖預(yù)制棒制備、光纖拉絲等具體的工藝步驟。最常使用的工藝是兩步法：第一步采用四種氣相沉積工藝，即：外氣相沉積(Outside Vapour Deposition-OVD)、軸向氣相沉積(Vapour Axial Deposition-VAD)、改進的化學(xué)氣相沉積(Modified Chemical Vapour Deposition-MCVD)、等離子化學(xué)氣相沉積(Plasma Chemical Vapour Deposition-PCVD)中的任一工藝來生產(chǎn)光纖預(yù)制棒的芯棒；第二步是在氣相沉積獲得的芯棒上施加外包層制成大光纖預(yù)制棒。值得強調(diào)的是，光纖預(yù)制棒的光學(xué)特性主要取決于芯棒的制造技術(shù)，光纖預(yù)制棒的成本主要取決于外包技術(shù)。

　　芯棒制造

　　芯棒制造技術(shù)普遍采用氣相沉積工藝，如OVD、VAD、MCVD、PCVD。

　　OVD工藝是1970年美國康寧公司的Kapron研發(fā)的簡捷工藝。OVD工藝的化學(xué)反應(yīng)機理為火焰水解，即所需的芯玻璃組成是通過氫氧焰或甲烷焰中攜帶的氣態(tài)鹵化物(SiCl4等)產(chǎn)生“粉末”逐漸地一層一層沉積而獲得的。OVD工藝有沉積和燒結(jié)兩個具體工藝步驟：先按所設(shè)計的光纖折射分布要求進行多孔玻璃預(yù)制棒芯棒的沉積(預(yù)制棒生長方向是徑向由里向外)，再將沉積好的預(yù)制棒芯棒進行燒結(jié)處理，除去殘留水份，以求制得一根透明無水份的光纖預(yù)制棒芯棒，OVD工藝最新的發(fā)展經(jīng)歷從單噴燈沉積到多噴燈同時沉積，由一臺設(shè)備一次沉積一根棒到一臺設(shè)備一次沉積多根棒，從而大大提高了生產(chǎn)率，降低了成本。

　　VAD工藝是1977年由日本電報電話公司的伊澤立男等人，為避免與康寧公司的OVD專利的糾紛所發(fā)明的連續(xù)工藝。VAD工藝的化學(xué)反應(yīng)機理與OVD工藝相同，也是火焰水解。與OVD工藝不同的是，VAD工藝沉積獲得的預(yù)制棒的生長方向是由下向上垂直軸向生長的。燒結(jié)和沉積是在同一臺設(shè)備中不同空間同時完成的，即預(yù)制棒連續(xù)制造。VAD工藝的最新發(fā)展由上世紀70年代的芯、包同時沉積燒結(jié)，到上世紀80年代先沉積芯棒再套管的兩步法，再到上世紀90年代的粉塵外包層代替套管制成光纖預(yù)制棒。

　　MCVD工藝是1974年由美國AT&T公司貝爾實驗室的Machesney等人開發(fā)的經(jīng)典工藝。MCVD工藝為朗訊等公司所采用的方法。MCVD工藝是一種以氫氧焰熱源，發(fā)生在高純度石英玻璃管內(nèi)進行的氣相沉積。MCVD工藝的化學(xué)反應(yīng)機理為高溫氧化。MCVD工藝是由沉積和成棒兩個工藝步驟組成。沉積是獲得設(shè)計要求的光纖芯折射率分布，成棒是將巳沉積好的空心高純石英玻璃管熔縮成一根實心的光纖預(yù)制棒芯棒?，F(xiàn)MCVD工藝采用大直徑合成石英玻璃管和外包技術(shù)，例如用火焰水解外包和等離子外包技術(shù)來制作大預(yù)制棒。這些外包技術(shù)彌補了傳統(tǒng)的MCVD工藝沉積速率低、幾何尺寸精度差的缺點，提高了質(zhì)量、降低了成本，增強了MCVD工藝的競爭力。

    　PCVD工藝是1975年由荷蘭飛利浦公司的Koenings提出的微波工藝。PCVD與MCVD的工藝相似之處是，它們都是在高純石英玻璃管內(nèi)進行氣相沉積和高溫氧化反應(yīng)。所不同之處是熱源和反應(yīng)機理，PCVD工藝用的熱源是微波，其反應(yīng)機理為微波激活氣體產(chǎn)生等離子使反應(yīng)氣體電離，電離的反應(yīng)氣體呈帶電離子。帶電離子重新結(jié)合時釋放出的熱能熔化氣態(tài)反應(yīng)物形成透明的石英玻璃沉積薄層。PCVD工藝制備芯棒的工藝有兩個具體步驟，即沉積和成棒。沉積是借助低壓等離子使流進高純石英玻璃沉積管內(nèi)氣態(tài)鹵化物和氧氣在大約1000℃的高溫下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯玻璃組成。成棒則是將沉積好的石英玻璃管移至成棒用的玻璃車床上，利用氫氧焰高溫作用將該管熔縮成實心的光纖預(yù)制棒芯棒。PCVD工藝的最新發(fā)展是采用大直徑合成石英玻璃管為沉積襯底管，沉積速率提高到了2～3g/min，沉積長度達到1.2～1.5m。

　　外包層制造

　　外包層制造技術(shù)主要有套管法、等離子噴涂法、火焰水解法等。外包層制造技術(shù)是光纖通信全球性高速發(fā)展應(yīng)運而生的大光纖預(yù)制棒制造新技術(shù)。外包層技術(shù)發(fā)展和完善的目的是將光纖預(yù)制棒做的更粗、更長，即提高光纖生產(chǎn)率，降低生產(chǎn)成本，使光纖通信比其他介質(zhì)的通信形式具有更大、更強的競爭力。外包層技術(shù)中的套管法是將氣相沉積工藝制成的芯棒置入一根作光纖外包層的高純石英玻璃管內(nèi)制造大預(yù)制棒技術(shù)。等離子噴涂法是用高頻等離子焰將石英粉末熔制于氣相沉積工藝得到的芯棒上制成大預(yù)制棒的技術(shù)。火焰水解法(粉末外包)實質(zhì)上就是OVD、VAD等火焰水解外沉積工藝在芯棒上的應(yīng)用。

　　通常，將氣相沉積法工藝和外包層技術(shù)結(jié)合制成的大預(yù)制棒直徑縮小，且保持芯包比和折射率分布恒定的操作稱為光纖拉絲。拉絲過程中要對裸光纖施加預(yù)涂覆層保護。涂覆層既可以保護光纖的機械強度、隔離外界潮濕，又可以避免外力引起光纖的微彎損耗。此外，高速拉絲還應(yīng)注意光纖的充分冷卻，消除光纖中的殘余內(nèi)應(yīng)力，以求確保光纖的翹曲度指標最優(yōu)。