據(jù)中國光谷3月7日消息，光谷實(shí)驗(yàn)室宣布，其科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)的膠體量子點(diǎn)成像芯片已實(shí)現(xiàn)短波紅外成像，面陣規(guī)模30萬、盲元率低于6‰、波長范圍0.4-1.7微米、暗電流密度小于50nA/cm2、外量子效率高于60%，性能優(yōu)越。

　　相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，這一技術(shù)的核心優(yōu)勢有：圖像分辨率高，理論上像素尺寸僅受限于艾利斑直徑;溶液法低溫加工，與任何形貌的基底均兼容;探測波段高度可定制化，探測波段不受襯底吸收影響;可大面積加工，兼容12寸CMOS晶圓制備工藝 ，同時(shí)成本極低。

　　消息稱，光谷實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)通過4年時(shí)間，全力攻關(guān)量子點(diǎn)技術(shù)，通過低溫的溶液法制備工藝，實(shí)現(xiàn)可與硅基芯片一體化集成的量子點(diǎn)短波紅外成像芯片，其探測波段范圍遠(yuǎn)超傳統(tǒng)銦鎵砷芯片，同時(shí)制造成本僅不到近百分之一。極大的成本優(yōu)勢，讓量子點(diǎn)芯片有望推開新市場的大門。